11月18日下午，在濟南魯晶半導體有限公司成立15周年這一具有紀念意義的時(shí)刻，“面向高壓應用的碳化硅功率器件關(guān)鍵技術(shù)揭榜掛帥項目”啟動(dòng)儀式在魯晶半導體會(huì )議室隆重舉行。該項目由魯晶半導體牽頭，聯(lián)合山東大學(xué)、山東管理學(xué)院共同攻關(guān)，旨在突破5.0kV高壓碳化硅肖特基二極管的關(guān)鍵技術(shù)，為我國清潔能源、大功率電源、儲能、充電樁、電力傳輸、軌道交通等重大戰略領(lǐng)域提供核心芯片支撐。
破解產(chǎn)業(yè)“無(wú)芯”困境，補強濟南碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵一環(huán)
當前，我國在1.7kV以下中低壓碳化硅器件已取得長(cháng)足進(jìn)步，但3.0KV-5.0kV及以上高壓大功率器件成為下一步攻關(guān)目標，同時(shí)也是制約高端裝備發(fā)展的“卡脖子”難題。濟南市作為國內碳化硅產(chǎn)業(yè)的重要策源地，在上游襯底材料（如天岳先進(jìn)）領(lǐng)域全球領(lǐng)先，但在中游芯片制造和高壓器件封測環(huán)節存在短板。
本項目正是針對這一關(guān)鍵瓶頸，通過(guò)“揭榜掛帥”機制，整合龍頭企業(yè)、頂尖高校的研發(fā)資源，著(zhù)力打通從材料到器件的產(chǎn)業(yè)化路徑，對于補全、做強濟南市碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)具有重要戰略意義。
瞄準國際前沿，制定清晰技術(shù)路線(xiàn)圖，強強聯(lián)合打造高水平產(chǎn)學(xué)研攻關(guān)團隊
啟動(dòng)儀式上，項目核心團隊正式亮相。項目由魯晶半導體總經(jīng)理徐文匯擔任總負責人，山東大學(xué)韓吉勝教授擔任技術(shù)總師，山東管理學(xué)院彭瑞芹副教授共同牽頭。研發(fā)團隊匯聚了來(lái)自校企雙方在器件仿真、工藝制備、封裝測試及可靠性評估等領(lǐng)域的頂尖專(zhuān)家，確保了項目從技術(shù)研發(fā)到產(chǎn)業(yè)轉化的全鏈條實(shí)施能力。
十五年匠心積淀，魯晶半導體邁向新征程
值得一提的是，項目啟動(dòng)日恰逢魯晶半導體成立15周年。作為國家級高新技術(shù)企業(yè)、國家科技型中小企業(yè)、山東省“專(zhuān)精特新”企業(yè)和中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )理事單位，在功率器件封測領(lǐng)域擁有15年深厚積累，已成功實(shí)現650V-1200V碳化硅器件的市場(chǎng)化銷(xiāo)售。山東大學(xué)在碳化硅材料與器件研究方面擁有20余年技術(shù)積淀，山東管理學(xué)院則在器件應用與系統集成方面具備特色優(yōu)勢。三方的深度合作，是產(chǎn)學(xué)研協(xié)同攻克關(guān)鍵核心技術(shù)的典范。
與會(huì )專(zhuān)家一致認為，該項目的啟動(dòng)實(shí)施，不僅將助力我國在高壓功率半導體領(lǐng)域打破國外壟斷，更將有力推動(dòng)濟南乃至山東省的第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新發(fā)展，為服務(wù)國家“雙碳”戰略和能源安全貢獻科技力量。
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