近年來(lái)，國家從宏觀(guān)層面對第三代半導體尤其是以SiC（碳化硅）為代表的寬禁帶半導體材料出臺大力支持的各項政策。濟南魯晶半導體有限公司——碳化硅功率器件封裝及應用創(chuàng )新項目被列為2018年度山東省第三批技術(shù)創(chuàng )新項目。值此之際，濟南魯晶半導體特邀山東大學(xué)、山東交通學(xué)院、山東管理學(xué)院多位教授，國務(wù)院政府津貼專(zhuān)家及濟南高新區領(lǐng)導于2019年3月11日在濟南魯晶半導體有限公司順利召開(kāi)碳化硅功率器件應用研討會(huì )。

會(huì )議上首先由濟南魯晶半導體有限公司總經(jīng)理徐文匯介紹魯晶半導體碳化硅項目進(jìn)展情況以及碳化硅功率器件可行性報告。報告從以下方面進(jìn)行闡述：國家宏觀(guān)項目支持；SiC功率器件產(chǎn)品應用、產(chǎn)業(yè)鏈、制造工藝；SiC功率器件發(fā)展趨勢及市場(chǎng)競爭；濟南基礎優(yōu)勢及市場(chǎng)預期。

并提出產(chǎn)業(yè)化工作與目標：

1、 碳化硅功率器件研發(fā)及制造產(chǎn)業(yè)化工作項目圍繞以魯晶半導體為核心的封裝測試生產(chǎn)線(xiàn)以及后端應用產(chǎn)業(yè)鏈，遴選前沿性、創(chuàng )新性和迫切需求，突破 SiC 功率器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中出現的若干關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現重大科技成果產(chǎn)業(yè)化。

2、強強聯(lián)合山東上下游，不斷打造并壯大碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈。

3、項目通過(guò)建立技術(shù)合作及產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng )新，圍繞碳化硅器件封測相關(guān)工藝技術(shù)不斷探索交流，推動(dòng)和促進(jìn) SiC 功率器件研發(fā)與應用乃至濟南市 SiC 功率器件的聚集和發(fā)展。

隨后有請各位專(zhuān)家針對項目做發(fā)言，在會(huì )議中，大家暢所欲言，積極互動(dòng)，探討碳化硅功率器件應用前景，為我們此次研討會(huì )注入新鮮知識與活力。大家一致認為硅基功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，使得功率密度的增長(cháng)出現了飽和趨勢，其發(fā)展速度已無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)的高性能要求，SiC 功率器件的發(fā)展及應用前景顯而易見(jiàn)。

在此次會(huì )議上濟南魯晶半導體特聘請各位專(zhuān)家為該項目的高級顧問(wèn)，通過(guò)建立技術(shù)合作及產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng )新，推動(dòng)和促進(jìn)SiC功率器件研發(fā)及應用。

最后，由魯晶半導體有限公司總經(jīng)理徐文匯做了總結發(fā)言，山東第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢在必行，碳化硅功率器件應用前景廣闊，隨后邀請各位專(zhuān)家合影留念。

此次碳化硅功率器件應用研討會(huì )的順利召開(kāi)預示著(zhù)魯晶半導體碳化硅功率器件應用研究將以更先進(jìn)更前沿的技術(shù)為支撐，加速濟南 SiC 功率器件產(chǎn)業(yè)鏈形成，推動(dòng)和促進(jìn) SiC 功率器件研發(fā)與應用乃至濟南市 SiC 功率器件的聚集和發(fā)展，形成新的經(jīng)濟增長(cháng)點(diǎn)。