幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著(zhù)重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。

二極管的應用

1、整流二極管

利用二極管單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動(dòng)直流電。

2、開(kāi)關(guān)元件

二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態(tài)，相當于一只接通的開(kāi)關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態(tài)，如同一只斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)。利用二極管的開(kāi)關(guān)特性，可以組成各種邏輯電路。

3、限幅元件

二極管正向導通后，它的正向壓降基本保持不變（硅管為0.7V，鍺管為0.3V）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內。

4、繼流二極管

在開(kāi)關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負載中起繼流作用。

5、檢波二極管

在收音機中起檢波作用。

6、變容二極管

使用于電視機的高頻頭中。

二極管的工作原理

晶體二極管為一個(gè)由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當不存在外加電壓時(shí)，由于p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結空間電荷層中的電場(chǎng)強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數值很大的反向擊穿電流，稱(chēng)為二極管的擊穿現象。

二極管的類(lèi)型

二極管種類(lèi)有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩壓二極管、開(kāi)關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管等。按照管芯結構，又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點(diǎn)接觸型二極管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起，形成一個(gè)“PN結”。由于是點(diǎn)接觸，只允許通過(guò)較小的電流（不超過(guò)幾十毫安），適用于高頻小電流電路，如收音機的檢波等。面接觸型二極管的“PN結”面積較大，允許通過(guò)較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過(guò)較大的電流，而且性能穩定可靠，多用于開(kāi)關(guān)、脈沖及高頻電路中。

一、根據構造分類(lèi)

半導體二極管主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據PN結構造面的特點(diǎn)，把晶體二極管分類(lèi)如下：

1、點(diǎn)接觸型二極管

點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過(guò)電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡(jiǎn)單，所以?xún)r(jià)格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類(lèi)型。

2、鍵型二極管

鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二極管和合金型二極管之間。與點(diǎn)接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開(kāi)關(guān)用，有時(shí)也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時(shí)被稱(chēng)金鍵型，熔接銀絲的二極管有時(shí)被稱(chēng)為銀鍵型。

3、合金型二極管

在N型鍺或硅的單晶片上，通過(guò)合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結反向時(shí)靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。

4、擴散型二極管

在高溫的P型雜質(zhì)氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用于大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。

5、臺面型二極管

PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱(chēng)為擴散臺面型。對于這一類(lèi)型來(lái)說(shuō)，似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號很少，而小電流開(kāi)關(guān)用的產(chǎn)品型號卻很多。

6、平面型二極管

在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長(cháng)的類(lèi)型。最初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱(chēng)為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開(kāi)關(guān)用的型號則很多。

7、合金擴散型二極管

它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過(guò)巧妙地摻配雜質(zhì)，就能與合金一起過(guò)擴散，以便在已經(jīng)形成的PN結中獲得雜質(zhì)的恰當的濃度分布。此法適用于制造高靈敏度的變容二極管。

8、外延型二極管

用外延面長(cháng)的過(guò)程制造PN結而形成的二極管。制造時(shí)需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變容二極管。

9、肖特基二極管

基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來(lái)阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長(cháng)是：開(kāi)關(guān)速度非?？欤悍聪蚧謴蜁r(shí)間trr特別地短。因此，能制作開(kāi)關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。

二、根據用途分類(lèi)

1、檢波用二極管

就原理而言，從輸入信號中取出調制信號是檢波，以整流電流的大?。?00mA）作為界線(xiàn)通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點(diǎn)接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類(lèi)似點(diǎn)觸型那樣檢波用的二極管，除用于檢波外，還能夠用于限幅、削波、調制、混頻、開(kāi)關(guān)等電路。也有為調頻檢波專(zhuān)用的特性一致性好的兩只二極管組合件。

2、整流用二極管

就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大?。?00mA）作為界線(xiàn)通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結型，工作頻率小于KHz，最高反向電壓從25伏至3000伏分A～X共22檔。分類(lèi)如下：①硅半導體整流二極管2CZ型、②硅橋式整流器QL型、③用于電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。

3、限幅用二極管

大多數二極管能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專(zhuān)用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強的限制尖銳振幅的作用，通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售：依據限制電壓需要，把若干個(gè)必要的整流二極管串聯(lián)起來(lái)形成一個(gè)整體。

4、調制用二極管

通常指的是環(huán)形調制專(zhuān)用的二極管。就是正向特性一致性好的四個(gè)二極管的組合件。即使其它變容二極管也有調制用途，但它們通常是直接作為調頻用。

5、混頻用二極管

使用二極管混頻方式時(shí)，在500～10，000Hz的頻率范圍內，多采用肖特基型和點(diǎn)接觸型二極管。

6、放大用二極管

用二極管放大，大致有依靠隧道二極管和體效應二極管那樣的負阻性器件的放大，以及用變容二極管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應二極管和變容二極管。

7、開(kāi)關(guān)用二極管

有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開(kāi)關(guān)二極管。小電流的開(kāi)關(guān)二極管通常有點(diǎn)接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開(kāi)關(guān)二極管的特長(cháng)是開(kāi)關(guān)速度快。而肖特基型二極管的開(kāi)關(guān)時(shí)間特短，因而是理想的開(kāi)關(guān)二極管。2AK型點(diǎn)接觸為中速開(kāi)關(guān)電路用；2CK型平面接觸為高速開(kāi)關(guān)電路用；用于開(kāi)關(guān)、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開(kāi)關(guān)，正向壓降小，速度快、效率高。

8、變容二極管

用于自動(dòng)頻率控制（AFC）和調諧用的小功率二極管稱(chēng)變容二極管。日本廠(chǎng)商方面也有其它許多叫法。通過(guò)施加反向電壓， 使其PN結的靜電容量發(fā)生變化。因此，被使用于自動(dòng)頻率控制、掃描振蕩、調頻和調諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴散型二極管，但是也可采用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管，因為這些二極管對于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以硅材料制作。

9、頻率倍增用二極管

對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極管稱(chēng)為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動(dòng)頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱(chēng)為階躍恢復二極管，從導通切換到關(guān)閉時(shí)的反向恢復時(shí)間trr短，因此，其特長(cháng)是急速地變成關(guān)閉的轉移時(shí)間顯著(zhù)地短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因tt（轉移時(shí)間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產(chǎn)生很多高頻諧波。

10、穩壓二極管

是代替穩壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線(xiàn)急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時(shí)的端電壓（又稱(chēng)齊納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動(dòng)態(tài)電阻RZ很小，一般為2CW型；將兩個(gè)互補二極管反向串接以減少溫度系數則為2DW型。

11、PIN型二極管（PIN Diode）

這是在P區和N區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質(zhì)的半導體）構造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語(yǔ)。當其工作頻率超過(guò)100MHz時(shí)，由于少數載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時(shí)間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時(shí)，“本征”區的阻抗很高；在直流正向偏置時(shí)，由于載流子注入“本征”區，而使“本征”區呈現出低阻抗狀態(tài)。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開(kāi)關(guān)（即微波開(kāi)關(guān)）、移相、調制、限幅等電路中。

12、 雪崩二極管 （Avalanche Diode）

它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時(shí)間，所以其電流滯后于電壓，出現延遲時(shí)間，若適當地控制渡越時(shí)間，那么，在電流和電壓關(guān)系上就會(huì )出現負阻效應，從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中。

13、江崎二極管 （Tunnel Diode）

它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質(zhì)的）。隧道電流由這些簡(jiǎn)并態(tài)半導體的量子力學(xué)效應所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應具備如下三個(gè)條件：①費米能級位于導帶和滿(mǎn)帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡(jiǎn)并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”代表“峰”；而下標“V”代表“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開(kāi)關(guān)電路中。

14、快速關(guān)斷（階躍恢復）二極管 （Step Recovary Diode）

它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點(diǎn)是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區，從而形成“自助電場(chǎng)”。由于PN結在正向偏壓下，以少數載流子導電，并在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經(jīng)歷一個(gè)“存貯時(shí)間”后才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的“自助電場(chǎng)”縮短了存貯時(shí)間，使反向電流快速截止，并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發(fā)生電路?？焖訇P(guān)斷（階躍恢復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。

15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）

它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數限制，因而，它是高頻和快速開(kāi)關(guān)的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。

16、阻尼二極管

具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。

17、瞬變電壓抑制二極管

TVP管，對電路進(jìn)行快速過(guò)壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類(lèi)。

18、雙基極二極管（單結晶體管）

兩個(gè)基極，一個(gè)發(fā)射極的三端負阻器件，用于張馳振蕩電路，定時(shí)電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩定性好等優(yōu)點(diǎn)。

19、發(fā)光二極管

用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動(dòng)發(fā)光。工作電壓低，工作電流小，發(fā)光均勻、壽命長(cháng)、可發(fā)紅、黃、綠單色光。

三、根據特性分類(lèi)

點(diǎn)接觸型二極管，按正向和反向特性分類(lèi)如下。

1、一般用點(diǎn)接觸型二極管

這種二極管正如標題所說(shuō)的那樣，通常被使用于檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產(chǎn)品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬于這一類(lèi)。

2、高反向耐壓點(diǎn)接觸型二極管

是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產(chǎn)品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點(diǎn)接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時(shí)有硅合金和擴散型。

3、高反向電阻點(diǎn)接觸型二極管

正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長(cháng)是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A等等屬于這類(lèi)二極管。

4、高傳導點(diǎn)接觸型二極管

它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點(diǎn)接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類(lèi)二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。