何謂導通電阻？

MOSFET工作（啟動(dòng)）時(shí)，漏極和源極間的阻值稱(chēng)為導通電阻 （RDS(ON)）。
數值越小，工作時(shí)的損耗（功率損耗）越小。

關(guān)于導通電阻的電氣特性

晶體管的消耗功率用集電極飽和電壓 （VCE(sat)） 乘以集電極電流（IC）表示。

• （集電極損耗PC））＝（集電極飽和電壓VCE(sat) ）x（集電極電流IC）

• MOSFET的消耗功率是用漏極源極間導通電阻 （RDS(ON)） 計算。
  MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的導通電阻乘以漏極電流（ID)的平方表示。

• （功率PD）＝（導通電阻RDS(ON) ） x （漏極電流ID）2

• 此功率將變成熱量散發(fā)出去。
  MOSFET的導通電阻一般在Ω級以下，與一般的晶體管相比，消耗功率小。即發(fā)熱小，散熱對策簡(jiǎn)單。

如左上圖所示，柵極源極間電壓越高，導通電阻越小。另外，柵極源極間電壓相同的條件下，導通電阻因電流不同而不同。計算功率損耗時(shí)，需要考慮柵極源極間電壓和漏極電流，選擇適合的導通電阻。
另外，如右上圖所示，導通電阻因溫度變化而變化，因此需要注意這一特性。

導通電阻比較

一般MOSFET的芯片尺寸（表面面積）越大，導通電阻越小。