21世紀，是信息技術(shù)大爆發(fā)的時(shí)代，在信息技術(shù)快速發(fā)展過(guò)程中，必然離不開(kāi)半導體材料的迅猛發(fā)展。半導體材料、器件的發(fā)展必將引發(fā)一場(chǎng)全新的產(chǎn)業(yè)技術(shù)革命。以SiC、GaN為代表的第三代半導體材料在短波長(cháng)激光器、白光發(fā)光管、高頻大功率器件等方面有廣闊的應用，是目前半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的一個(gè)熱門(mén)方向。而碳化硅肖特基二極管是其中一個(gè)重要的分支部分。那么碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢特點(diǎn)有哪些呢？下面我們來(lái)來(lái)了解一下。

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱(chēng)碳硅石，呈顆料或粉末狀。在當代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種?？梢苑Q(chēng)為金鋼砂或耐火砂。

與普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：

1、高壓特性
2、高頻特性
3、高溫特性

碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）的器件采用了結勢壘肖特基二極管結構（JBS），可以有效降低反向漏電流，具備更好的耐高壓能力。碳化硅肖特基二極管是一種單極型器件，因此相比于傳統的硅快恢復二極管（Si FRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性。碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)勢，有如下特點(diǎn)：

1. 幾乎無(wú)開(kāi)關(guān)損耗
2. 更高的開(kāi)關(guān)頻率
3. 更高的效率
4. 更高的工作溫度
5. 正的溫度系數，適合于并聯(lián)工作
6. 開(kāi)關(guān)特性幾乎與溫度無(wú)關(guān)

目前碳化硅器件發(fā)展情況如何?

1，技術(shù)參數：舉例來(lái)說(shuō)，肖特基二極管電壓由250伏提高到1000伏以上，芯片面積小了，但電流只有幾十安。工作溫度提高到180℃，離介紹能達600℃相差很遠。壓降更不盡人意，與硅材料沒(méi)有差別，高的正向壓降要達到2V。

2，市場(chǎng)價(jià)格：約為硅材料制造的5到6倍。

但是碳化硅(SiC)器件發(fā)展中的難題又在哪里?

綜合各種報道，難題不在芯片的原理設計，特別是芯片結構設計解決好并不難。難在實(shí)現芯片結構的制作工藝。

但是隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展和人們需求的增加，碳化硅材料會(huì )得到迅猛的發(fā)展，這對于半導體行業(yè)會(huì )是一個(gè)極大的利好機會(huì )，同時(shí)對電子行業(yè)的發(fā)展會(huì )起到極大的促進(jìn)作用，對從事電子行業(yè)的公司是一個(gè)極大的挑戰，同時(shí)也是一個(gè)極大的機遇。