肖特基二極管，又稱(chēng)熱載流子二極管，通過(guò)金屬和半導體接觸(肖特基接觸)形成肖特基勢壘，實(shí)現整流。與普通PN結二極管相比，肖特基二極管的反向恢復慣性非常低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開(kāi)關(guān)。

碳化硅（SiC）是一種高性能的半導體材料，基于SiC的肖特基二極管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。

碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強為硅的5.3倍，高達3.2MV/cm，其導熱率是硅的3.3倍，為49w/cm·k。它與硅半導體材料一樣，可以制成結型器件、場(chǎng)效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。它的特點(diǎn)是：

碳化硅肖特基二極管可廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著(zhù)的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。

在PFC電路中用碳化硅SBD取代原來(lái)的硅FRD，可使電路工作在300kHz以上，效率基本保持不變，而相比下使用硅FRD的電路在100kHz以上的效率急劇下降。隨著(zhù)工作頻率的提高，電感等無(wú)源原件的體積相應下降，整個(gè)電路板的體積下降30%以上。

01 射頻混頻器和探測二極管應用

肖特基二極管具有很高的開(kāi)關(guān)速度和高頻性能，這使得它們能夠很好地用于射頻應用。此外，肖特基二極管具有各種金屬-半導體結配置，使得這些半導體器件在功率檢測器或混頻器電路中有用。

02 功率整流器應用

肖特基二極管是用于功率整流器應用的最佳半導體器件，因為這些器件具有高電流密度和低正向電壓降，與普通PN結器件的特性不同。這些優(yōu)點(diǎn)有助于降低熱量水平，減少設計中包含的散熱器，并提高電子系統的整體效率。

03 電源或電路應用

肖特基二極管可用于由兩個(gè)并聯(lián)電源產(chǎn)生電流的應用中。肖特基二極管的特性使其很好地適用于電力或電路應用，因為它們的低正向電壓降。這些二極管的存在還可以防止反向電流從一個(gè)電源流入另一個(gè)電源。

04 太陽(yáng)能電池應用

太陽(yáng)能電池通常與可充電電池相連以?xún)Υ婺芰?，因為太?yáng)不是一天24小時(shí)的能源。SiC肖特基二極管防止電池在夜間通過(guò)太陽(yáng)能電池放電，防止高性能太陽(yáng)能電池通過(guò)低性能太陽(yáng)能電池放電。

05 箝位二極管應用

肖特基二極管用作快速鉗位二極管應用中的開(kāi)關(guān)。在這個(gè)應用中，基極結是正向偏置的。使用肖特基二極管，關(guān)斷時(shí)間顯著(zhù)縮短，電路速度提高。