壓降：二極管的電流流過(guò)負載以后相對于同一參考點(diǎn)的電勢（電位）變化稱(chēng)為電壓降，簡(jiǎn)稱(chēng)壓降。

導通壓降：二極管開(kāi)始導通時(shí)對應的電壓。

正向特性：在二極管外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎為零。當正向電壓大到足以克服PN結電場(chǎng)時(shí)，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。

反向特性：外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數載流子漂移運動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)。反向電壓增大到一定程度后，二極管反向擊穿。

正向導通壓降與導通電流的關(guān)系

在二極管兩端加正向偏置電壓時(shí)，其內部電場(chǎng)區域變窄，可以有較大的正向擴散電流通過(guò)PN結。只有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱(chēng)為“門(mén)檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V)以后，二極管才能真正導通。但二極管的導通壓降是恒定不變的嗎?它與正向擴散電流又存在什么樣的關(guān)系?通過(guò)下圖1的測試電路在常溫下對型號為SM360A的二極管進(jìn)行導通電流與導通壓降的關(guān)系測試，可得到如圖2所示的曲線(xiàn)關(guān)系：正向導通壓降與導通電流成正比，其浮動(dòng)壓差為0.2V。從輕載導通電流到額定導通電流的壓差雖僅為0.2V，但對于功率二極管來(lái)說(shuō)它不僅影響效率也影響二極管的溫升，所以在價(jià)格條件允許下，盡量選擇導通壓降小、額定工作電流較實(shí)際電流高一倍的二極管。

　圖1 二極管導通壓降測試電路

圖2 導通壓降與導通電流關(guān)系

在我們開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的過(guò)程中，高低溫環(huán)境對電子元器件的影響才是產(chǎn)品穩定工作的最大障礙。環(huán)境溫度對絕大部分電子元器件的影響無(wú)疑是巨大的，二極管當然也不例外，在高低溫環(huán)境下通過(guò)對SM360A的實(shí)測數據表1與圖3的關(guān)系曲線(xiàn)可知道：二極管的導通壓降與環(huán)境溫度成反比。在環(huán)境溫度為-45℃時(shí)雖導通壓降最大，卻不影響二極管的穩定性，但在環(huán)境溫度為75℃時(shí)，外殼溫度卻已超過(guò)了數據手冊給出的125℃，則該二極管在75℃時(shí)就必須降額使用。這也是為什么開(kāi)關(guān)電源在某一個(gè)高溫點(diǎn)需要降額使用的因素之一。

表 1 導通壓降與導通電流測試數據

圖3 導通壓降與環(huán)境溫度關(guān)系曲線(xiàn)

額定電流IF指二極管長(cháng)期運行時(shí)，根據運行溫升折算出來(lái)的平均電流值。目前最大功率整流二極管的IF值可達1000A。

是指二極管長(cháng)期連續工作時(shí)，允許通過(guò)的最大正向平均電流值，其值與PN結面積及外部散熱條件等有關(guān)。因為電流通過(guò)管子時(shí)會(huì )使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過(guò)容許限度（硅管為141左右，鍺管為90左右）時(shí)，就會(huì )使管芯過(guò)熱而損壞。所以在規定散熱條件下，二極管使用中不要超過(guò)二極管最大整流電流值。例如，常用的IN4001－4007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。

最大平均整流電流IO：在半波整流電路中，流過(guò)負載電阻的平均整流電流的最大值。折算設計時(shí)非常重要的值。

運行流過(guò)的過(guò)量的正向電流。不是正常的電流，而是瞬間電流，這個(gè)值相當大。

即使沒(méi)有反向電流，只要不斷地提高反向電壓，遲早會(huì )使二極管損壞。這種能加上的反向電壓，不是瞬時(shí)電壓，而是反復加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓，它的最大值是規定的重要因子。最大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的最大反向電壓。目前最高的VRM值可達幾千伏。

上述最大反向峰值電壓是反復加上的峰值電壓，VR是連續加直流電壓的值。用于直流電流，最大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。

由于PN結的結電容存在，當工作頻率超過(guò)某一值時(shí)，它的單向導電性將變差。點(diǎn)接觸式二極管的fM值較高，在100MHz以上；整流二極管的fM較低，一般不高于幾千Hz。

當正向工作電壓從正向電壓變成反向電壓時(shí)，二極管工作的理想情況是電流能瞬時(shí)截止。實(shí)際上，一般要延遲一點(diǎn)點(diǎn)時(shí)間。決定電流截止延時(shí)的量，就是反向恢復時(shí)間。

二極管中有電流流過(guò)，就會(huì )吸熱，而使自身溫度升高。最大功率P為功率的最大值。具體講就是加載二極管兩端的電壓乘以流過(guò)的電流。這個(gè)極限參數對穩壓二極管，可變電阻二極管顯得特別重要。

指在二極管兩端加入反向電壓時(shí)，流過(guò)二極管的電流，該電流與半導體材料和溫度有關(guān)。在常溫下，硅管的IR為nA（10-9A）級，鍺管的IR為mA（10-6A）級

降額可以提高產(chǎn)品可靠性，延長(cháng)使用壽命，根據溫度降低10℃壽命增加一倍的理論，下面列出了不同額定結溫的管子最小降額結溫數據。

表1  二極管降額

在選型階段應該考慮到器件是否通過(guò)了安規認證，主要應該考慮功率器件。一般為各國廣泛接受的安規認證類(lèi)型有UL（北美）、CSA（加拿大）、TUV（德國）、VDE等

正確選用器件及器件周邊的線(xiàn)路設計、機械設計和熱設計等來(lái)控制器件在整機中的工作條件，防止各種不適當的應力或者操作給器件帶來(lái)?yè)p傷，從而最大限度地發(fā)揮器件的固有可靠性。

設計單板時(shí)，應放寬器件的參數允許變化的范圍（包括制造容差、溫度漂移、時(shí)間漂移），以保證器件的參數在一定范圍內變化時(shí)，單板能正常工作。

禁止選用軸向插裝的二極管封裝、禁止選用Open-junction二極管。

O/J是OPEN JUNCTION的晶圓擴散工藝，在晶圓擴散后切片成晶粒，晶粒的邊緣是粗糙的，電性能不穩定，需要用混合酸（主要成分為氫氟酸）洗掉邊緣，然后包以硅膠并封裝成型，可信賴(lài)性較差。

GPP是Glassivation passivation parts的縮寫(xiě)，是玻璃鈍化類(lèi)器件的統稱(chēng)，該產(chǎn)品就是在現有產(chǎn)品普通硅整流擴散片的基礎上對擬分割的管芯P/N結面四周燒制一層玻璃，玻璃與單晶硅有很好的結合特性，使P/N結獲得最佳的保護，免受外界環(huán)境的侵擾，提高器件的穩定性，可信賴(lài)性極佳。

O/J的散熱性沒(méi)有GPP的好，兩者本質(zhì)結構截然不同:O/J芯片需要經(jīng)過(guò)酸洗后加銅片焊接配合硅膠封裝，內部結構上顯得比GPP的大；GPP芯片造的整流橋免去了酸洗、上硅膠等步驟，直接與整流橋的銅連接片焊接。內部結構顯的比O/J芯片制造而成的小。才造成直觀(guān)的、習慣性的誤解。

GPP芯片和OJ芯片的綜合評價(jià)：

1、GPP芯片在wafer階段即完成玻璃鈍化，并可實(shí)施VR的probe testing，而OJ芯片只有在制得成品后測試VR。

2、VRM為1000V的GPP芯片，通常從P+面開(kāi)槽和進(jìn)行玻璃鈍化，臺面呈負斜角結構(表面電場(chǎng)強度高于體內)，而OJ芯片的切割不存在斜角。 

3、GPP芯片的玻璃鈍化分布在pn結部分區域(不像GPRC芯片對整個(gè)斷面實(shí)施玻璃鈍化，而OJ芯片對整個(gè)斷面施加硅橡膠保護。

4、GPP芯片由于機械切割的原因留下切割損傷層，而OJ芯片的切割損傷層可經(jīng)化學(xué)腐蝕去除掉。

5、GPP芯片采用特殊高溫熔融無(wú)機玻璃膜鈍化，Tjm及HTIR穩定性高于用有機硅橡膠保護的OJ制品。 

6、GPP芯片適合小型化、薄型化、LLP封裝，而OJ芯片適合引出線(xiàn)封裝。

在制作工藝上的區別：

（1）OJ的芯片必須經(jīng)過(guò)焊接、酸洗、鈍化、上白膠、成型固化烘烤等步驟,其電性（反向電壓）與封裝酸洗工藝密切相關(guān)，常規封裝形式為插件式。

（2）而GPP在芯片片制造工藝中已包含酸洗、鈍化。其電性由芯片片直接決定，常見(jiàn)封狀形式為貼片式。