1、N型半導體：又稱(chēng)為電子型半導體。在純凈的硅晶體中通過(guò)特殊工藝摻入少量的五價(jià)元素（如磷、砷、銻等）而形成，其內部自由電子濃度遠大于空穴濃度。所以，N半導體內部形成帶負電的多數載流子——自由電子，而少數載流子是空穴。N型半導體主要靠自由電子導電。由于自由電子主要由所摻入的雜質(zhì)提供，所以摻入的五價(jià)雜質(zhì)越多，自由電子的濃度就越高，導電性能就越強。而空穴由熱激發(fā)形成，環(huán)境溫度越高，熱激發(fā)越劇烈。

2、P型半導體：又稱(chēng)為空穴型半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼）而形成，其內部空穴濃度遠大于自由電子濃度。所以，P型半導體內部形成帶正電的多數載流子——空穴，而少數載流子是自由電子。P型半導體主要靠空穴導電。由于空穴主要由所摻入雜質(zhì)原子提供，摻入三價(jià)的雜質(zhì)越多，空穴的濃度就越高，導電性能就越強。而自由電子是由熱激發(fā)形成，環(huán)境溫度越高，熱激發(fā)越激烈。

3、PN結及特性：P型和N型半導體接觸時(shí)，在界面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散，電子從N型半導體向P型半導體擴散?？昭ê碗娮酉嘤龆鴱秃?，載流子消失。因此在界面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有內建一個(gè)由N區指向P區的內電場(chǎng)。由于內電場(chǎng)是由多子建成，所以達到平衡后，內建電場(chǎng)將阻擋多數載流子的擴散，但不能阻止少數載流子。P區和N區的少數載流子一旦接近PN結，便在內電場(chǎng)的作用下漂移到對方。

下面，講一下ＰＮ結的單向導電性。

外加正向電壓（正偏）：在外電場(chǎng)作用下，多子將向ＰＮ結移動(dòng)，結果使空間電荷區變窄，內電場(chǎng)被削弱，有利于多子的擴散而不利于少子的漂移，擴散運動(dòng)起主要作用。結果，Ｐ區的多子空穴將源源不斷的流向Ｎ區，而Ｎ區的多子自由電子亦不斷流向Ｐ區，這兩股載流子的流動(dòng)就形成了ＰＮ結的正向電流。

外加反向電壓（反偏）：在外電場(chǎng)作用下，多子將背離ＰＮ結移動(dòng)，結果使空間電荷區變寬，內電場(chǎng)被增強，有利于少子的漂移而不利于多子的擴散，漂移運動(dòng)起主要作用。漂移運動(dòng)產(chǎn)生的漂移電流的方向與正向電流相反，稱(chēng)為反向電流。因少子濃度很低，反向電流遠小于正向電流。當溫度一定時(shí)，少子濃度一定，反向電流幾乎不隨外加電壓而變化，故稱(chēng)為反向飽和電流。

4、擴散和漂移：多數載流子移動(dòng)時(shí)擴散，少數載流子移動(dòng)時(shí)漂移。

5、復合：電子和空穴相遇就會(huì )復合，大量的電子-空穴對復合就形成電流。

6、空間電荷區：也稱(chēng)耗盡層。在PN結中，由于自由電子的擴散運動(dòng)和內電場(chǎng)導致的漂移運動(dòng)，使PN結中間的部位（P區和N區交界面）產(chǎn)生一個(gè)很薄的電荷區，它就是空間電荷區。在這個(gè)區域內，多數載流子已擴散到對方并復合掉了，或者說(shuō)消耗殆盡了，因此空間電荷區又稱(chēng)為耗盡層。P區一側呈現負電荷，N區一側呈現正電荷，因此空間電荷區出現了方向由N區指向P區的內電場(chǎng)。內電場(chǎng)將阻礙多子的擴散，而少子一旦靠近PN結，便在內電場(chǎng)的作用下漂移到對方。

PN結正偏時(shí)，內電場(chǎng)減弱，有利于多子的擴散而不利于少子的漂移；PN結反偏時(shí)，擴散運動(dòng)使空間電荷區加寬，內電場(chǎng)增強，有利于少子的漂移而不利于多子的擴散。

7、內電場(chǎng)：PN結附近空間電荷區中，方向由N區指向P區的內電場(chǎng)。內電場(chǎng)對多數載流子起隔離作用，而對少數載流子起導通作用。

8、載流子：可以自由移動(dòng)的帶有電荷的物質(zhì)微粒，如電子和離子。金屬中為電子，半導體中有兩種載流子即電子和空穴。

9、少數載流子：P型半導體地少數載流子是自由電子，N型半導體中是空穴。

10、二極管：?jiǎn)蜗驅щ娦?。正偏多數載流子可以通過(guò)，反偏少數載流子可以通過(guò)。反偏時(shí)P型半導體和N型半導體不能提供源源不斷的少數載流子，所以反偏近似無(wú)電流。