濟南魯晶半導體作為國內專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)快恢復二極管的生產(chǎn)廠(chǎng)家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,可以很好的幫助客戶(hù)控制好品質(zhì),也有專(zhuān)業(yè)的工程師在把控產(chǎn)品質(zhì)量,協(xié)助客戶(hù)解決自身解決不了的問(wèn)題。本文主要介紹快恢復二極管的作用及工作原理。

快恢復二極管概述

快恢復二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復時(shí)間短的半導體二極管，主要應用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用。

快恢復二極管在制造工藝上采用摻金，單純的擴散等工藝，可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)也能得到較高的耐壓。目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件。

快恢復二極管結構

快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。

因為PD的主要有源區是勢壘區，所以展寬勢壘區即可提高靈敏度。p-i-n結快恢復二極管實(shí)際上也就是人為地把p-n結的勢壘區寬度加以擴展，即采用較寬的本征半導體（i）層來(lái)取代勢壘區，而成為了p-i-n結。

p-i-n結快恢復二極管的有效作用區主要就是存在有電場(chǎng)的i型層（勢壘區），則產(chǎn)生光生載流子的有效區域增大了，擴散的影響減弱了，并且結電容也大大減小了，所以其光檢測的靈敏度和響應速度都得到了很大的提高。

快恢復二極管的工作原理

快恢復二極管的內部結構是在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了TRR值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。

快恢復二極管的反向恢復時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管的反向恢復電荷進(jìn)一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。

加負電壓（或零偏壓）時(shí)，快恢復二極管等效為電容+電阻；加正電壓時(shí)，快恢復二極管等效為小電阻。用改變結構尺寸及選擇快恢復二極管參數的方法，使短路的階梯脊波導的反射相位（基準相位）與加正電壓的PIN管控制的短路波導的反射相位相同。還要求加負電壓（或0偏置）的快恢復二極管控制的短路波導的反射相位與標準相位相反（-164°～+164°之間即可）。

快恢復二極管的主要特點(diǎn)

快恢復二極管的最主要特點(diǎn)是它的反向恢復時(shí)間（trr）在幾百納秒（ns）以下，超快恢復二極管甚至能達到幾十納秒。

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