肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著(zhù)大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒(méi)有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動(dòng)。隨著(zhù)電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度表面逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場(chǎng)方向為B→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì )產(chǎn)生從A→B的漂移運動(dòng)，從而消弱了由于擴散運動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場(chǎng)引起的電子漂移運動(dòng)和濃度不同引起的電子擴散運動(dòng)達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽(yáng)極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來(lái)消除邊緣區域的電場(chǎng)，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過(guò)調整結構參數，N型基片和陽(yáng)極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽(yáng)極金屬接電源正極，N型基片接電源負極)時(shí)，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

綜上所述，肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大的區別通常將PN結整流管稱(chēng)作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，近年來(lái)，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問(wèn)世，這不僅可節省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數的一致性。肖特基二極管特性曲線(xiàn)的比較看得出來(lái)。

由于肖特基二極管結構堅固，反應速度快及雜波小，使它廣泛地被應用在高頻電路中。近年來(lái)亦使用于低電壓高電流的電源電路及交流─直流變換系統中。