碳化硅（SIC）是半導體界公認的“一種未來(lái)的材料”，是新世紀有廣闊發(fā)展潛力的新型半導體材料。預計在今后5～10年將會(huì )快速發(fā)展和有顯著(zhù)成果出現。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無(wú)可突破的空間。

根據數據顯示，碳化硅 (SiC)電力電子市場(chǎng)是具體而實(shí)在，且發(fā)展前景良好。這種趨勢非但不會(huì )改變，碳化硅行業(yè)還會(huì )進(jìn)一步向前發(fā)展。業(yè)界半導體企業(yè)正在嘗試碳化硅技術(shù)，以應用于具體且具有發(fā)展前景的項目。

碳化硅

碳化硅（SiC）是一種寬帶隙材料，與硅相比，具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如，工作溫度更高，散熱性能得到改善，開(kāi)關(guān)和導通損耗更低。 不過(guò)，寬帶隙材料比硅基材料的量產(chǎn)難度更高。因為純硅晶圓的提升空間的局限性，碳化硅的出現也算是半導體芯片的一種導向和突破。

碳化硅特性

碳化硅的優(yōu)點(diǎn)

更高的性能和工作電壓

• 功率損失極低

• 本征SiC體二極管（MOSFET）（4象限開(kāi)關(guān)操作）

• 開(kāi)關(guān)比硅更快，更可靠

• 在擊穿電壓相同的條件下，芯片尺寸更小

• 能效更高

• 導熱性高

更高的工作頻率

• 開(kāi)關(guān)損耗更低，二極管開(kāi)關(guān)性能出色

• 更小、更輕量化的系統

更高的工作溫度

• 工作節溫最高200°C

• 散熱要求降低，可用于輕量化系統，延長(cháng)使用壽命

容易驅動(dòng)

• 完全兼容標準柵極驅動(dòng)器

• 設計更簡(jiǎn)單