前面的文章中我們有提到場(chǎng)效應管特性，主要包括其電子參數方面，屬于單極型晶體管，本文我們來(lái)介紹場(chǎng)效應管發(fā)熱嚴重的原因。

場(chǎng)效應管發(fā)熱嚴重的原因有以下四點(diǎn)：

1、電路設計的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線(xiàn)性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。

2、頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了；

3、沒(méi)有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱(chēng)的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片；

4、MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒(méi)有充分考慮，導致開(kāi)關(guān)阻抗增大。

關(guān)于MOS管的選型，有加強型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型（MOS或DMOS）兩大類(lèi)，每一類(lèi)有N溝道和P溝道兩種導電類(lèi)型。場(chǎng)效應管有三個(gè)電極：D（Drain）稱(chēng)為漏極，相當雙極型三極管的集電極；G（Gate）稱(chēng)為柵極，相當于雙極型三極管的基極；S（Source）稱(chēng)為源極，相當于雙極型三極管的發(fā)射極。

場(chǎng)效應管的選型比較重要，如果選型錯誤，不僅是發(fā)熱嚴重的問(wèn)題，更有可能整個(gè)電路不再符合原有的要求。魯晶半導體提供多種場(chǎng)效應管類(lèi)型型號，如有需求請在線(xiàn)聯(lián)系客服，為您提供更加專(zhuān)業(yè)的解答。