任何國家都有權決定自身的發(fā)展策略，而中國決心發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)由來(lái)已久。中國每年進(jìn)口芯片的金額達到千億美元數量級，自主生產(chǎn)只有近10%，想要改變這種不合理的現狀是一件天經(jīng)地義的事情。因此，某些西方論點(diǎn)把矛頭指向中國半導體業(yè)，稱(chēng)中國是“攪局者”是不公平的?！?/span>

矛頭指向中國有失公允

日經(jīng)中文網(wǎng)近期報道稱(chēng)，世界的半導體市場(chǎng)此前一直以美韓日廠(chǎng)商唱主角，現在中國企業(yè)正試圖參與進(jìn)來(lái)，指責中國企業(yè)的巨額投資很有可能成為半導體市場(chǎng)混亂的風(fēng)險因素。

任何國家都有權決定自身的發(fā)展策略，而中國決心發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)由來(lái)已久。中國每年進(jìn)口芯片的金額達到千億美元數量級，自主生產(chǎn)只有近10%，想要改變這種不合理的現狀是一件天經(jīng)地義的事情。因此，無(wú)論日經(jīng)中文網(wǎng)，或是某些西方論點(diǎn)，把矛頭指向中國半導體業(yè)，稱(chēng)中國是“攪局者”都是不公平的。

客觀(guān)地說(shuō)，近期中國發(fā)展半導體業(yè)采取的策略與之前有所不同，抓住了事關(guān)產(chǎn)業(yè)命脈的資金問(wèn)題?！皣壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)投資基金”（以下簡(jiǎn)稱(chēng)大基金）釆用入股企業(yè)的方法，并要求投資取得回報，與國際上通行的作法相一致，只是在規模上和時(shí)間點(diǎn)上讓國外同行感覺(jué)“來(lái)勢洶洶”而已。即便如此，大基金的投資規模與幾家全球領(lǐng)先公司如三星、臺積電等相比也是相形見(jiàn)絀的。

市場(chǎng)競爭與攪局者

只要是公平的市場(chǎng)競爭，“攪局者”可以改變行業(yè)現狀，推動(dòng)市場(chǎng)競爭在新的態(tài)勢下達到新的平衡。這是產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的表現。

觀(guān)察全球半導體業(yè)的發(fā)展歷程可以發(fā)現，“攪局者”并不少見(jiàn)。如全球代工業(yè)中，三星異軍突起，就可被看作是“攪局者”。三星揚言今年的代工營(yíng)收要超過(guò)居第二位的格羅方德，并要與代工老大臺積電比拼高下，顯見(jiàn)三星是想要改變全球代工的競爭格局。

在半導體設備業(yè)方面，ASML表示其EUV光刻機將很快步入實(shí)用化，在兩年內光源功率提升至產(chǎn)業(yè)要求的250瓦水平，目前已在全球安裝了14臺，客戶(hù)包括英特爾、三星、臺積電及格羅方德，未來(lái)尚有21臺等待發(fā)貨，其中英特爾是大客戶(hù)。

眾所周知，觀(guān)察全球半導體業(yè)的發(fā)展進(jìn)程，先進(jìn)工藝制程競賽一直是”熱點(diǎn)”，臺積電、三星、英特爾，甚至格羅方德都不甘落后。目前，采用浸液式光刻方法已可達7納米，將于2018年實(shí)現量產(chǎn)，但是這種工藝要使用三次或者四次圖形曝光工藝，大大增加了生產(chǎn)周期與成本。如果改用EUV光刻工藝，將有效地簡(jiǎn)化產(chǎn)品設計，與三次或者四次圖形曝光工藝相比較，成本方面可能節省。因此EUV光刻工藝的導入，在全球半導體業(yè)發(fā)展中是一次質(zhì)的飛躍，是延伸“摩爾定律”的有力武器。它有可能改變目前芯片制造商中前幾位的排名，并對未來(lái)半導體業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生深遠影響。所以EUV光刻設備的導入也可看作是一個(gè)“攪局者”，而且是一個(gè)強有力的“攪局者”。

因此，對于“誰(shuí)是攪局者”不能有“雙重標準”，應該一視同仁，從根本上它們可能都是推動(dòng)半導體業(yè)持續進(jìn)步的動(dòng)力源。

中國加入存儲器行列

從半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷史來(lái)看，凡是打“翻身仗”都是從存儲器入手，并已經(jīng)成功實(shí)現過(guò)兩次：一次是日本半導體的發(fā)展，另一次是韓國半導體的成長(cháng)。

如今，中國半導體想要崛起，發(fā)展存儲器是一條值得嘗試的路徑。當然，中國的目的與此前日韓并不完全相同，主要目的并不是想要超越韓國存儲器老大的位置。此次中國存儲器的發(fā)展，主要是為了自用，目的是提高芯片的國產(chǎn)化率。

據集邦咨詢(xún)（TrendForce）的數據，2016年全球存儲器銷(xiāo)售額超過(guò)800億美元，而中國市場(chǎng)消耗25%以上。中國半導體產(chǎn)業(yè)為了減少進(jìn)口，增加國產(chǎn)化率，目前有三股力量，包括長(cháng)江存儲、合肥睿力及福建晉華，分別聚焦不同的存儲器產(chǎn)品。就目前的進(jìn)度來(lái)看，三家都處在建廠(chǎng)及技術(shù)與人才準備階段，離量產(chǎn)尚有一段距離，尚不能言及最終成功。

近20年來(lái)，全球半導體領(lǐng)域不乏退出存儲器業(yè)的廠(chǎng)商，如德國奇夢(mèng)達倒閉，美光兼并日本的爾必達等，但鮮有新加入者。這反映出全球存儲器業(yè)的入門(mén)門(mén)檻高，競爭激烈。所以此次中國半導體業(yè)進(jìn)軍存儲器引起國外同行的警覺(jué)也是合乎情理的，而中國半導體業(yè)自主發(fā)展存儲器的要求是合理的。

在全球存儲器業(yè)中，競爭變得更為激烈。一方面是DRAM繼續向1x納米進(jìn)軍，從縮小尺寸角度來(lái)看，15納米可能是極限，三星肯定走在最前面，目前它擁有DRAM及NAND閃存產(chǎn)能各有40萬(wàn)片（按12英寸晶圓計）。而另一方面，在2DNAND向3DNAND轉移中，三星、美光、東芝、西數、海力士等都揚言近期要開(kāi)始64層3DNAND的量產(chǎn)出貨，并全力向96層3DNAND挺進(jìn)。而中國的長(cháng)江存儲是一個(gè)“新進(jìn)者”，它僅是可能于2018年出貨32層3DNAND，與三星等的差距至少2代以上。

分析天時(shí)、地利與人和，中國似乎都具備了一定的條件，但是要實(shí)現存儲器芯片制造的突破必須十分清醒，僅擁有廣大的市場(chǎng)與足夠的投資可能還不一定能獲得最后的成功，還需要有專(zhuān)業(yè)人才的配合及詳盡的專(zhuān)利應對策略，并要有一股氣勢與勇氣，關(guān)鍵是能把制造成本降下來(lái)，同時(shí)還需要加強芯片生產(chǎn)線(xiàn)的嚴格管理。

到目前為止，對于中國存儲器業(yè)的突破，外界似乎并不看好。然而，在全球存儲產(chǎn)業(yè)進(jìn)行大轉移的時(shí)刻，中國半導體業(yè)應勇于加入，力爭能得到公平競爭的機會(huì )。而且，現階段盡管中國半導體業(yè)有三股力量在集結，但是理性分析，在2020年之前這些芯片生產(chǎn)線(xiàn)仍處在產(chǎn)能爬坡階段，銷(xiāo)售額都不會(huì )太高。

全球存儲器業(yè)總是周期性起伏的，只有堅持到底，不懼怕暫時(shí)的虧損，才有可能成功。分析機構Gartner按以往的經(jīng)驗進(jìn)行了預測，認為2019年時(shí)存儲器業(yè)可能進(jìn)入下降周期。顯然中國的存儲器業(yè)不可能趕上2019年之前的榮景了，只能把希望寄托于在下一波存儲器的上升周期中，能有令人滿(mǎn)意的表現。

中國半導體業(yè)在存儲器中突破，首先是為了滿(mǎn)足自用需求，與先進(jìn)廠(chǎng)商之間尚有很大差距，目前也不具備挑戰臺積電、三星及英特爾等巨頭的實(shí)力。由于中國的加入，全球存儲器業(yè)中后幾位的排名可能會(huì )發(fā)生改變。

同時(shí)要強調的是，中國半導體業(yè)必須十分淸醒，一定要穩步前進(jìn)，尊重知識產(chǎn)權，與全球存儲器業(yè)者開(kāi)展公平的競爭成為受同行尊敬的“攪局者”。