濟南魯晶半導體有限公司是一家以半導體二極管、三極管、MOS管、碳化硅器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售為主導的高新技術(shù)企業(yè)。公司生產(chǎn)的"魯晶"品牌二、三極管、MOS管廣泛應用于各類(lèi)智能家電、電源、適配器、電動(dòng)工具、LED照明、通訊產(chǎn)品和設備等。

濟南魯晶半導體有限公司研發(fā)銷(xiāo)售的快恢復二極管兩種：采用先進(jìn)的擴鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復時(shí)間和極高的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的肖特基二極管成品器件；采用SiC材料設計和生產(chǎn)的具有極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管成品器件。

相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導率較高的特點(diǎn)，SiC半導體器件具有導通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點(diǎn)。SiC SBD在常溫下顯示出優(yōu)于Si基快速恢復二極管的動(dòng)態(tài)特性:反向恢復時(shí)間短，反向恢復電流峰值小。

隨著(zhù)SiC基半導體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場(chǎng)合下的——寬禁帶半導體材料。

近年來(lái)隨著(zhù)電力電子技術(shù)在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應用的不斷擴展，現代社會(huì )對電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時(shí)仍具有更優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能以及更小的結溫和結溫波動(dòng)。

SiC肖特基二極管(SBD)在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境仍能正常工作，且具有良好的開(kāi)關(guān)性能，在上述領(lǐng)域中有巨大的潛力。