MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應管。MOS英文全稱(chēng)為metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說(shuō)，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。那么MOS管的重要參數有哪些呢？下面我們就來(lái)簡(jiǎn)單介紹一下。

MOS管的重要參數有以下四個(gè)，主要是在MOS管選擇方面，系統要求相關(guān)的四個(gè)重要參數是：

1.負載電流IL。它直接決定于MOSFET的輸出能力；

2.輸入—輸出電壓。它受MOSFET負載占空比能力限制；

3.開(kāi)關(guān)頻率。這個(gè)參數影響MOSFET開(kāi)關(guān)瞬間的耗散功率；

4.MOSFET--允許工作溫度。這要滿(mǎn)足系統指定的可靠性目標。

MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。

MOSFET的開(kāi)關(guān)性能優(yōu)良，主要用作功率開(kāi)關(guān)及各種驅動(dòng)器。近年來(lái)，它的性能不斷提高，應用范圍越來(lái)越廣。功率MOSFET除了應用在開(kāi)關(guān)電源中，在計算機外設、辦公室自動(dòng)化設備、消費類(lèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)自動(dòng)控制、通信設備及汽車(chē)工業(yè)中均得到普遍應用。

魯晶半導體目前產(chǎn)品范圍包括有：MOS管、快恢復二極管、肖特基二極管、三極管、穩壓電路、整流橋、碳化硅系列等，涵蓋智能家電、電源、適配器、電動(dòng)工具、LED照明、通訊產(chǎn)品和設備等應用領(lǐng)域。更多規格參數及封裝產(chǎn)品請咨詢(xún)我司人員，24小時(shí)熱線(xiàn)電話(huà)：400-001-4007，期待與您的合作！